本發明屬于光電子功能材料及器件技術領域, 具 體涉及一種用無依托超薄金剛石多晶薄膜制備的新一代X光 窗口及其制備工藝。本發明采用金剛石薄膜高密度(109-10/cm2)成核及優化生長工藝, 制備無依托超薄金剛石多晶薄膜, 再用化學方法刻蝕掉一部分硅基板, 形成直徑為4-8毫米的完全無依托超薄金剛石X光窗口。該窗口在50-1550ev波段具有良好的透射率, 具有低吸收、高熱導的優良特性及很高的抗輻射特性, 遠優于傳統的X光鈹窗口, 可廣泛應用于X光元素分析、深亞微米超大規模集成電路制版技術、生物醫學、物理、化學等研究領域。
聲明:
“無依托超薄金剛石X光窗口及其制備工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)