紅外探測器可用于軍事探測、航空航天、生命科學和環境監測等領域[1~4]
基于窄帶隙半導體的紅外探測器,由于其結構簡單、性能穩定和易于制備,已經成為當前的研究熱點[5,6]
SnSe是一種重要的窄帶隙半導體材料,其具有電導率和化學穩定性高和成本較低等優點,是制造紅外探測器的理想材料[7~9]
但是,光照后SnSe的電子-空穴對復合極快,使其載流子濃度降低,嚴重影響SnSe紅外探測器的效率[10,11]
抑制光生載流子復合提高單一半導體光電探測效率的方法,有元素摻雜、構建半導體異質結和貴金屬修飾[12~15]
其中,用貴金屬納米粒子修飾半導體,具有成本低、促進電子-空穴對分離快且操作簡單的優點
與其它貴金屬(Au、Pt、Pd)相比,Ag具備無毒且價格較低、易制備、化學性質穩定等優點[16,17]
同時,光沉積法成本較低和工藝簡單,通過調整沉積時間、光強和前驅體溶液配比即可在室溫下實現Ag納米粒子的可控制備[18~20]
目前,關于用金屬Ag修飾半導體以加快電子-空穴對分離已有大量的研究工作
Liu等[21]通過將化學氣相沉積與熱蒸發相結合制備了Ag修飾ZnO陣列,能有效分離電子-空穴對
且與未修飾ZnO相比,其紫外探測性能顯著提高
Devi等[22]合成了一種Ag修飾CeO2納米棒光電探測器,Ag納米粒子修飾能顯著抑制CeO2納米棒電子-空穴對的復合并提升其捕獲電子的能力
Joshna等[23]制備的Ag修飾TiO2納米管(TiO2 NTs),金屬Ag顯著減少了電子-空穴對的復合,Ag納米粒子修飾的TiO2 NTs的光電流是純TiO2 NTs的120倍
同時,在各種SnSe納米結構材料中一維SnSe納米管具有高電子傳輸效率、幾何異向性和量子限域效應,更有利于提高紅外探測性能[24~26]
因此,使用Ag修飾的SnSe納米管有望制備出高性能紅外探測器
本文用光沉積法在SnSe納米管表面修飾金屬Ag納米粒子,在室溫下合成Ag修飾SnSe(Ag/SnSe)納米管并以Pt為對電極組裝紅外探測器,研究其在模擬紅外光(830 nm)照射下的紅外探測性能、光響應速度和循環穩定性,并討論其機理
1 實驗方法1.1 Ag/SnSe納米管的制備
以Se納米線為模板,用溶液法制備SnSe納米管[26],然后將0.02 g的SnSe納米管加到30 mL的0.05 mol/L 硝酸銀溶
聲明：
“自供能Ag/SnSe納米管紅外探測器的制備和性能研究” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：方向明,任帥,容萍,劉爍,高世勇
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2025年07月09日 ~ 11日 
