高純四氟化鍺的制備裝置

1.本實(shí)用新型涉及化工設備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高純四氟化鍺的制備裝置。 背景技術(shù)： 2.在半導體工業(yè)中，高純四氟化鍺作為摻雜和離子注入劑，能夠結合乙硅烷氣體，直接在玻璃基底上制造硅鍺微晶。在核工業(yè)領(lǐng)域電子級四氟化鍺用于分離鍺的同位素，其制備方式及設備長(cháng)期被發(fā)達國家壟斷及封鎖。 3.申請號為200980138501.3名稱(chēng)為四氟化鍺的制造方法和201921837493.9名稱(chēng)為一種四氟化鍺的制備裝置公開(kāi)了兩種四氟化鍺的制備方法。200980138501.3采用稀釋后的氟氣與在料架上加熱到一定溫度的鍺塊進(jìn)行反應，冷凝收集四氟化鍺。201921837493.9在傾斜旋轉加熱管中投入鍺粉，從下端通氟氣并采用翻板將鍺粉揚起反應，過(guò)濾后冷凝收集四氟化鍺。 4.氟氣與鍺反應需要一定的反應溫度，反應發(fā)生后又劇烈放熱，對熱量的管理是直接氟化法制四氟化鍺的重點(diǎn)。在200980138501.3具體實(shí)施方法中，存在鍺塊反應熱局部灼傷反應器的實(shí)例。其采用稀釋氟氣進(jìn)行反應雖然可以有效控制反應速率，但不利于高效生產(chǎn)。且每次投料需要打開(kāi)反應容器，增加了安全風(fēng)險，對含有稀釋氣的氟氣四氟化鍺混合氣進(jìn)行冷凝也增加了資源浪費。201921837493.9投入鍺粉與反應容器直接接觸，對反應熱的控制困難，反應容器的灼傷風(fēng)險加劇。四氟化鍺產(chǎn)物可能裹挾鍺粉引入雜質(zhì)，對產(chǎn)物純度帶來(lái)影響。 技術(shù)實(shí)現要素： 5.本發(fā)明的主要目的是提供一種高純四氟化鍺的制備裝置，以解決背景技術(shù)中存在的問(wèn)題， 6.為了解決現有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種高純四氟化鍺的制備裝置，包括依次用管道連接的環(huán)流氣室、反應器、加壓冷凝裝置和收集裝置，反應器頂部設置有給料器，所述給料器包括密封加料口、第一負壓抽吸口和出料口，所述出料口設置在給料器底部，出料口內自上而下依次設有第一密封閥、加熱器和第二密封閥；所述反應器用于氟氣與鍺反應，包括氟氣入口、給料口、第二負壓抽吸口和產(chǎn)品出口，給料口設置在反應器頂部并與出料口密封連接，氟氣入口連接氟氣氣源，產(chǎn)品出口連接至加壓冷凝裝置和收集裝置，加壓冷凝裝置用于氟氣與鍺反應生成四氟化鍺后的液化，收集裝置用于液化后的四氟化鍺的收集儲存。 7.進(jìn)一步的，所述反應器內設有可更換的落料架。 8.本實(shí)用新型通過(guò)在給料器的出料口內設置的第一密封閥、加熱器和第二密封閥，使少量鍺粉可以隔絕在加熱器內進(jìn)行加