本發明涉及半導體技術領域，具體是氮化鋁覆鋁陶瓷襯板的制備方法。
背景技術：
直接鍵合銅基板是一種廣泛應用于半導體模塊電子電路板的陶瓷襯板。然而cu2o在界面的形成引起了大量的殘余應力，導致dbc襯板界面出現裂紋。直接結合鋁(dba)是一種以鋁(al)代替銅(cu)作為電路金屬的新型材料，為大功率半導體器件封裝用絕緣襯板提供了一種新的選擇。由于al具有比銅更好的塑性，使得dba基板在熱循環的工作環境中表現出比dbc基板具有更高的可靠性。采用al代替銅制備覆鋁陶瓷基板，其中陶瓷主要以氮化鋁陶瓷為主。
氮化鋁覆鋁陶瓷襯板的制備難點在于：鋁與氮化鋁陶瓷的潤濕性很差，當溫度低于700℃時，鋁熔體與氮化鋁陶瓷的潤濕角大于90°基本不會對瓷片進行潤濕，即無法有效鍵合；溫度升高至900℃以上時，其浸潤性明顯增強，但此時溫度高于鋁的熔點，鋁箔覆接成型困難。
目前公開相關技術專利如下；
us6183875b1中提出采用一種特殊工裝模具，將熔融的鋁熔體倒入模具中，然后將瓷片浸入熔體，再通過特殊規格模具進行直接成型冷卻。其熔體溫度較高，可形成有效鍵合，但熔體純度控制難，直接成型，鋁面純度難以達到高純4n99級別。
cn102756515b中提出采用物理氣相沉積的方法蒸鍍鋁膜再進行釬焊制備氮化鋁覆鋁陶瓷襯板。該方法設備投入大，且蒸鍍層較薄，鍵合性能難以控制，成本高，效率低，難以形成量產；
cn103508745b中提出采用低熔點軋制金屬復合板的工藝制備氮化鋁覆鋁陶瓷襯板，該方法采用金屬復合板為合金板，其電導率較低。
cn109309065a中采用的是特殊模具進行滲鋁，完成基板的制備，對熔體質量要求高。鑄鋁產生的氣孔、氧化、夾雜等缺陷，直接影響基板的電導率等重要特征。
采用如上技術中制備的氮化鋁覆鋁陶瓷襯板工藝控制難，成本過高，難以大批量生產。
氮化鋁覆鋁陶瓷襯板在電力電子器件中的應用適用場合為大功率高溫半導體器件，工作溫度可達200℃-400℃，且可靠性明顯優于氮化鋁陶瓷覆銅基板。隨著第三代半導體sic，gan的發展，大功率高溫半導體器件的在高鐵、新能源車、航空航天等領域的應用將越來越普及，亟待開發一種高效、低成本的氮化鋁覆鋁陶瓷襯板。
技術實現要素：
針對現有技術存在的問題，本發明提供一種直接釬焊的氮化鋁覆鋁陶瓷襯板的制備方法，以解決以上至少一個技術問題，克服了低溫
聲明：
“氮化鋁覆鋁陶瓷襯板的制備方法與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：江蘇富樂德半導體科技有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
