1.本發明涉及具有鈣鈦礦結構的鈦酸鋇粒子。
背景技術：
2.鈦酸鋇粒子用于電子部件用的介電體材料、高折射率且透明性優異的光學材料等。鈦酸鋇粒子由于具有高介電常數，所以用于層疊陶瓷電容器(mlcc)。mlcc是電極層與介電體層交替重疊的結構。電極層中包含80～300nm的ni粒子以及作為共材的鈦酸鋇粒子。在電極層中，鈦酸鋇粒子填充在ni粒子的周圍。因此，ni粒子彼此燒結的溫度變高。即，能夠得到ni粒子的燒結延遲效應。因此，ni粒子彼此燒結的溫度與介電體層燒結的溫度變得接近。由此，在燒成時，電極層與介電體層的收縮率的差異變小，能夠得到裂紋(crack)少的mlcc(例如參照專利文獻1)。
3.另一方面，為了提高鈦酸鋇粒子的介電常數，已知：使鈦酸鋇粒子為鈣鈦礦結構，進而使其晶格的c軸的軸長比a軸的軸長更長亦即使鈦酸鋇粒子為四方晶系。(例如參照專利文獻2)。
4.現有技術文獻
5.專利文獻1：日本特開2005-63707號公報
6.專利文獻2：日本特開2004-300027號公報
技術實現要素：
7.發明要解決的技術問題
8.對于專利文獻2的鈦酸鋇粒子，由于鈣鈦礦結構的c軸長比a軸長更長，所以介電常數高。但是，鈦酸鋇粒子由于在進行了粉末化后進行燒成，所以粒徑、微晶直徑容易變大。因此，填充在ni粒子的周圍的鈦酸鋇粒子的密度容易變低，難以得到燒結延遲效應。介電體層燒結的溫度與ni粒子燒結的溫度的差異越大，mlcc越變得容易產生裂紋。
9.本發明的目的在于提供一種燒結延遲效應高的鈦酸鋇粒子及其制造方法。
10.解決技術問題的技術手段
11.因此，在本發明中，在鈣鈦礦結構的鈦酸鋇粒子中，使鋇與鈦的原子比ba/ti為0.9～1.1，使微晶直徑為5～25nm。鋇與鈦的原子比ba/ti也可以為0.95～1.05。
12.進而，鈣鈦礦結構的晶格的c軸與a軸的長度之比c/a優選為1.005以下。
13.優選的是，在包含這樣的鈦酸鋇粒子以及有機溶劑的鈦酸鋇粒子的分散液中，水分量小于3重量％。
14.另外，鈦酸鋇粒子的制造方法包括：將鋇氫氧化物與烷基溶纖劑混合的工序；以使鋇與鈦的原子比ba/ti成為0.9～1.1的范圍的方式添加鈦醇鹽的工序；添加水的工序；以及加熱的工序。
附圖說明
15.圖1是環狀烴基(r6)的結構圖。
具體實施方式
16.本發明的鈣鈦礦結
聲明：
“鈦酸鋇粒子、其制造方法及鈦酸鋇粒子的分散液與流程” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：日揮觸媒化成株式會社
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2025年07月09日 ~ 11日 
