碳化硅膜的共形沉積
本技術是申請號為201610084166.5，申請日為2016年2月6日，申請人為諾發系統公司，發明創造名稱為“碳化硅膜的共形沉積”的發明專利申請的分案申請。
技術領域
1.本發明一般涉及碳化硅膜的形成，尤其涉及碳化硅膜的共形沉積。
背景技術：
2.碳化硅(sic)類薄膜具有獨特的物理、化學和機械性能，并被用于各種應用，特別是集成電路應用中。碳化硅薄膜的種類包括經氧摻雜的碳化硅(也稱為碳氧化硅(sioc))、經氮摻雜的碳化硅(也稱為碳氮化硅(sinc))、經氧和氮摻雜的碳化硅(也稱為氧氮化硅(sionc))、以及無摻雜的碳化硅。
技術實現要素：
3.本發明提供了用于制備碳化硅的方法和系統?；旧瞎残蔚奶蓟鑼涌墒褂貌捎镁哂幸粋€或多個硅
?
氫鍵和/或硅
?
硅鍵的含硅前體的工藝來提供。含硅前體還可具有一個或多個硅
?
氧鍵、硅
?
氮鍵、和/或硅
?
碳鍵?？赏ㄟ^破壞一個或多個硅
?
氫鍵(例如從前體剝離氫原子)或者破壞一個或多個硅
?
硅鍵(如果存在于前體中的話)，同時維持前體中的硅
?
氧鍵、硅
?
氮鍵、和/或硅
?
碳鍵中的一者或多者，而將前體制成活性的。所得的膜可包含一個或多個硅
?
氧鍵和/或硅
?
碳鍵。前體可通過將其轉化為其中提取了氫原子或其他原子的自由基或其它活性物質而被轉換成活性的但基本上完整的形式。氫原子或其它原子可通過例如將前體暴露于自由基物質來進行提取。在某些實施方案中，處于基本上低能量狀態的一種或多種自由基物質可與一種或多種含硅前體反應以形成碳化硅。所述一種或多種自由基物質可以在遠程等離子源中形成。碳化硅可以在各種應用中被使用，包括但不限于用作襯里、間隔片、蝕刻停止、銅擴散阻擋層、孔密封劑和超低k的電介質層。
4.本發明的某些方面涉及一種在襯底上沉積碳化硅膜的方法，該方法的特征在于，包括以下操作：(a)提供所述襯底到反應室；(b)提供含硅前體到所述襯底，其中所述含硅前體具有(i)一個或多個硅
?
氫鍵和/或硅
?
硅鍵，(ii)不具有碳
?
氧鍵；以及(iii)不具有碳
?
氮鍵；以及(c)從源氣體引入處于基本上低能量狀態的一種或多種自由基物質以與所述含硅前體反應，以在破壞所述含硅前體的硅
?
氫鍵或硅
?
硅鍵但基本維持所述含硅前
聲明：
“碳化硅膜的共形沉積的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
1124
編輯：中冶有色網
來源：諾發系統公司
分享 0
舉報 0
收藏 0
反對 0
點贊 0
2025年07月09日 ~ 11日 
