本發明涉及半導體失效分析技術領域,尤其涉及一種柵氧化層漏電點的定位方法,應用于一包括柵氧化層的半導體結構,所述柵氧化層上方沉積有多晶硅柵、硅化物層和金屬互連層,且所述柵氧化層中包括一個或多個漏電點,所述定位方法包括:步驟S1,對所述半導體結構進行漏電點粗定位,以在所述柵氧化層上方定位出包括所述失效點的熱點區域;步驟S2,去除所述金屬互連層和所述硅化物層,以暴露所述多晶硅柵;步驟S3,對應所述熱點區域在所述多晶硅柵上方形成金屬層區域;步驟S4,采用電壓對比工藝對所述多晶硅柵上方的所述金屬層區域進行測試,正對所述漏電點的所述金屬層區域在所述電壓對比工藝下呈現高于其他區域的亮度,從而定位出所述漏電點。
聲明:
“柵氧化層漏電點的定位方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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