本發明提供一種對Flash器件失效定位的方法,提供多個存儲單元;對多個存儲單元分別在同一狀態下進行電流量測,得到所有存儲單元的電流值;按多個存儲單元所在的位置與各存儲單元對應的電流值繪制為電流隨存儲單元位置分布的趨勢圖;根據趨勢圖找出失效的存儲單元。本發明的方法根據bit cell電流分布趨勢來對Flash進行失效定位,制成圖表,找到趨勢上電流表現最差的bit,有利于對后續的失效分析預測做出判斷。
聲明:
“對Flash器件失效定位的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)