一種用于調節被用于在半導體基片上化學汽相淀積材料層的桶形反應器的清洗系統的方法,包括在多個清洗管道的每一個中放置旋轉式流量計和可調節的流量控制閥門。監測管道中清洗氣體的流速和調節閥門保證氣流都向桶形反應器的方向流動,使得不發生反應氣體被吸入清洗系統的虹吸效應。桶形反應器中氧氣的存在也得到了監測,且調節流速減少以氧氣的存在。調節流速以保證在一個化學汽相淀積周期完成之后從桶形反應器中完全清除反應氣體。降低淀積材料層中金屬沾污程度得以實現。
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