本發明提供一種檢測經平坦化處理的晶片的平坦程度的方法,包括:在形成有金屬塞的晶片表面形成金屬層,經刻蝕,使其形成多個彼此間隔的金屬區;進行平坦化處理;形成金屬測試層;局部刻蝕金屬測試層,使其形成具有多道彎折的蛇形金屬測試區,所形成的蛇形金屬測試區位于與金屬區間隔處相對應的位置上,并且使蛇形金屬測試區的兩端分別與未刻蝕的金屬測試層連接,形成試樣金屬測試層;分別檢測試樣金屬測試層和對照金屬測試層的電參數,通過兩者電參數值之間的接近程度來評估晶片的平坦程度。本發明在制備CMOS器件過程中即可將平坦程度較差的芯片報廢,從而避免進行后續的封裝測試或者器件在后續應用中失效而帶來更大的危害或造成更大的損失。
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