本發明實施例公開了一種晶體硅清洗方法,該方法包括:將晶體硅置于純水中進行超聲或兆聲加熱預清洗;將晶體硅置于混合酸溶液中進行腐蝕;采用純水對所述晶體硅進行沖洗;將所述晶體硅烘干。本發明所提供的晶體硅清洗方法,采用物理清洗和化學清洗相結合的方式對晶體硅進行清洗,能有效地去除晶體硅(尤其是回收料)表面的雜質和顆粒,而且可減少化學藥液的用量,減小化學藥液對人、設備及環境的危害,減輕化學藥液對晶體硅的腐蝕損耗,減輕后續對廢液的處理工作,從而可降低清洗成本。
聲明:
“晶體硅清洗方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)