本發明公開了一種超痕量Hg(Ⅱ)去除方法,其特征在于:將一種羥基修飾的MOF材料浸泡在含有超痕量Hg(Ⅱ)的廢水中。本發明中的羥基修飾的MOF材料對汞離子有較高的吸附容量和高選擇性,以快速、高效地去除水溶液中的痕量Hg(Ⅱ)離子,吸附效果遠高于其他吸附材料,最大吸附容量為278mg/g,對初始濃度為100ppb的汞離子溶液一次處理后去除率高達87.5%,殘留汞離子濃度低于12.5μg/L,遠低于國家廢水排放標準(50μg/L)。
聲明:
“超痕量Hg(Ⅱ)去除方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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