本發明提出了一種無砷化制造發光器件芯片的方法,包括如下步驟:生長襯底依次外延生長預置轉換層、外延層N區、有源區和外延層P區;利用腐蝕液腐蝕預置轉換層,通過機械牽引的方式整體分離外延層N區、有源區和外延層P區;將整體分離后獲得的外延層N區經過表面處理步驟之后,通過第二鍵合介質結合功能襯底;經過光刻、蒸鍍和剝離,或經過蒸鍍、光刻和刻蝕分別在外延層N區和外延層P區形成N面電極和P面電極。本發明的生長襯底的As不會帶入發光器件制備的后續工藝流程,降低工業廢水的污染治理成本,同時生長襯底可以重復利用,降低生產成本,使得其具有明顯的技術先進性和良好的經濟效益。
聲明:
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