本發明提出了一種發光器件芯片及其制造方法,其中一種發光器件芯片包括:自下而上依次為透明襯底、外延層N區、N面電極、有源區、外延層P區和P面電極,所述透明襯底通過第二鍵合介質與所述外延層N層結合,所述透明襯底通過生長襯底的轉換方式形成。本發明的生長襯底的As不會帶入發光器件制備的后續工藝流程,降低工業廢水的污染治理成本;透明襯底對光沒有吸收性,能夠降低發光損耗,增加發光器件芯片的整體出光效率;同時生長襯底可以重復利用,降低生產成本,使得其具有明顯的技術先進性和良好的經濟效益。
聲明:
“發光器件芯片及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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