本發明公開了一維硅碳負極材料及其制備方法,該硅碳負極材料主要由硅納米線、鈍化膜和高溫裂解碳組成。本發明針對單質硅的缺點,對硅進行納米化,采用一維硅納米線為硅源,在氧化性氣氛中在其表面形成一層鈍化膜,作為保護層,來抑制其體積膨脹。并以高溫裂解碳包覆,一方面可以作為包覆層保護硅納米線,避免其與電解液的直接接觸。另一方面,又可提高單質硅的電導率。本發明合成的硅碳復合材料作為鋰離子電池負極時,表現出了優異的電化學性能和良好的循環穩定性。
聲明:
“一維硅碳負極材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)