本發明公開了一種內延生長[100]取向TaON自支撐薄膜的制備方法,可以解決現有技術中TaON無法制備為取向結構,以及無法獲得自支撐薄膜的技術問題,而這些問題抑制了TaON的利用。其技術方案為:將鉭酸鋰單晶晶片在四氯化碳和氨氣的混合氣氛下進行煅燒后,即可獲得內延生長[100]取向TaON自支撐薄膜。本發明的制備方法和實驗步驟簡單,一步制備[100]取向的TaON自支撐薄膜,可大量制備,本發明制備的薄膜除了具有高的晶體取向結構外,還具有有序的納米棒狀結構。
聲明:
“內延生長[100]取向TaON自支撐薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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