本發明涉及一種超薄單晶NiCl2納米片及其制備方法和應用。所述納米片厚度尺寸為2nm?20nm;具有(003)晶面的擇優取向。其制備方法為:首先,將六水合氯化鎳置于管式爐中,在惰性氣體保護下,脫水;然后,預處理的粉末置于潔凈干燥的管式爐中,在惰性氣體保護下升華,即可獲得超薄單晶NiCl2納米片。本發明所設計和制備的產品,其應用領域包括將其用于熱電池正極材料、超級電容器、鋰離子電池、鈉離子電池及磁性材料中的至少一種。
聲明:
“超薄單晶NiCl2納米片及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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