本發明公開一種大尺寸LiTaO3晶體的全自動控制晶體生長方法,包括以下步驟:S1:制備原料;S2:搭建溫場;S3:充保護氣體;S4:控制晶體生長及降溫過程:按照6~30rpm的轉速旋轉鉭酸鋰籽晶,當晶體直徑d生長至D的40%時,在旋轉晶體的同時,以0.2~4mm/h的拉速向上提拉,當晶體直徑生長至90%時,利用PID算法自動調控溫場系統的加熱功率,在60~120h內降至室溫;S5:多線定向切割。本發明采用兩步法完成等徑生長,在放肩階段前段,僅進行晶體橫向生長,并通過PID算法主動完成降溫過程,使晶體成品率≥90%,確保批量生長晶體的均勻性,具有晶體生長速度可控、生長尺寸大、重復性好的優點,適合大規模工業化生產。
聲明:
“大尺寸LiTaO3晶體的全自動控制晶體生長方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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