本發明公開了一種超薄晶圓平坦化加工夾持的方法,包括如下步驟:首先將超薄晶片放置在真空吸盤的表面,真空吸盤的底部且對應超薄晶片的位置開設有多個抽氣孔,在真空吸盤的頂部設置真空系統,真空系統通過對真空吸盤表面的多個抽氣孔進行抽真空,使超薄晶片吸附在真空吸盤的底部。本發明較傳統的吸附墊夾持方式,可以大幅增加加工壓力,提升拋光效率,并且可以克服傳統的雙拋、上蠟以及吸附墊夾持加工方式無法達到<200um的工藝水準,本發明可以將晶片薄化到<50um,且保證表面平坦度可達5mm2<0.5um,PLTV>95%的水準,解決了傳統加工工藝無法達到鉭酸鋰(LiTaO3;LT)晶片厚度<200um,且平坦度在5mm2<0.5um,PLTV>95%穩定產品品質要求的問題。
聲明:
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