本發明涉及包含膦氧化物基質和金屬鹽的半導體材料。所述半導體材料包含如權利要求1所述的選自A1至A7和B1至B8的化合物和至少一種式(II)所示的鋰絡合物(II),其中A1是C6?C30亞芳基或在芳香環中包含至少一個選自O、S和N的原子的C2?C30亞雜芳基,并且每個A2和A3獨立地選自C6?C30芳基和在芳香環中包含至少一個選自O、S和N的原子的C2?C30雜芳基。還公開了一種電子器件,其包含陰極、陽極和在所述陰極與陽極之間的根據權利要求1?4任一項的半導體材料。還公開了選自A1至A7和B1至B8的化合物。
聲明:
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