本發明涉及一種制備Si定點取代非晶納米線陣列的方法,(1)將醋酸鋅、氧化鍺加入到水和乙二胺的混合溶劑中;(2)將步驟(1)得到的混合物經磁力攪拌得到均勻溶液;(3)將單晶Si片進行預處理,然后洗滌、干燥;(4)在步驟(2)得到的均勻溶液中加入預處理好的單晶Si片,然后進行水熱反應;(5)將反應產物冷卻,洗滌、干燥,在Si片上得到最終產物。與現有技術相比,本發明制備方法新穎,重復性好,產品性質穩定,具有更高的比表面積、表面活性和光利用效率,可廣泛應用于光電器件、太陽能電池、鋰離子電池和超級電容器等諸多儲能領域。
聲明:
“制備Si定點取代非晶納米線陣列的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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