本發明提供了一種復合型碳薄膜及其制備方法和應用。所述復合型碳薄膜的制備方法包括如下步驟有:將碳靶材和能量密度貢獻主體元素靶材在真空條件下進行磁控濺射處理,在基體上生長復合型碳薄膜層。本發明復合型碳薄膜的制備方法一方面賦予制備的復合型薄膜的比表面積增大,可以保護活性物質,防止其聚集和破裂;另一方面能穩定碳與活性物質電子傳輸,又可以減少和阻止電解液與能量密度貢獻主體之間的不可逆副反應,減少固體電解質膜(SEI)的產生;另外,形成的碳硅復合型薄膜不僅可以防止電解質的進入和進一步與納米級氧化物接觸,還可以減輕鋰化過程氧化物上的應變;其次,其條件易控,有效保證生長的復合型碳薄膜化學性能穩定,效率高。
聲明:
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