本發明公開了一種納米孿晶銅箔及其制備方法,屬于電解銅箔制備技術領域。該銅箔利用直流電解沉積技術制備得到,其厚度在3?100微米范圍內可控調節。該銅箔內部微觀結構由柱狀晶粒組成,自下而上,柱狀晶粒尺寸由納米量級逐漸增加到微米量級;柱狀晶粒內存在納米尺度的孿晶片層,晶粒的取向由隨機取向變為強(111)織構。納米孿晶銅箔的厚度為6微米時,其抗拉強度高于500MPa,同時具有較高的穩定性和導電性,在鋰離子電池和電路板領域具有較好的應用前景。
聲明:
“納米孿晶銅箔及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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