本發明所提供的一種有序介孔硅碳負極的制備方法,包含有序介孔硅材料和該介孔硅材料的孔道內的碳涂層,并且該孔道的孔徑為2?10nm;其中,采用不同的表面活性劑分子合成不同孔徑的SiO2;在650℃的氮氣氛圍下,用MgO做緩和劑,Mg熱還原后鹽酸刻蝕得到介孔硅材料;酚類碳源脫水負載于孔道,再經高溫碳化形成碳負載的介孔硅材料。本發明中,有序的介孔結構可以為硅的體積膨脹提供了緩沖空間;孔道內碳層提高了硅與鋰之間的電荷傳遞反應,因而可以提高整體材料的導電性。
聲明:
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