本發明涉及納米材料的制備領域,尤其是一種單層多孔四氧化三鈷納米片的制備方法。將溶解一定量鈷鹽和分散劑的混合溶液于水熱釜中140~230℃下反應4~12h,降至室溫后將所得產物分離、洗滌、干燥、煅燒,冷卻至室溫得單層多孔四氧化三鈷納米片。本發明制備方法簡單、易于操作、重復性好,可大規模生產,且制備出的四氧化三鈷具有純度高、厚度薄、孔徑分布均勻、比表面積大等優勢,在鋰離子電池、傳感器、超級電容器、工業催化等領域具有良好的應用前景。
聲明:
“單層多孔四氧化三鈷納米片的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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