本發明提供了一種多孔結構硅氧復合薄膜及其制備方法與應用。所述多孔結構硅氧復合薄膜的制備方法包括的步驟有:將硅靶材在惰性氣體與氧氣的混合氣氛下進行濺射處理,在基體上生長硅氧復合薄膜,并進行退火處理,得到硅和氧化硅的復合薄膜;用腐蝕劑對制備好的復合薄膜進行刻蝕處理,然后清洗和烘干之后即得到多孔結構硅氧復合薄膜。本發明制備的硅氧復合薄膜有大的比表面積、高的儲能密度、較高的電導率、可以吸收硅氧復合薄膜在充放電時產生的體積膨脹,減輕周期性體積變化的應力,保持鋰離子嵌入/脫出過程中的結構穩定性,保持高的可逆容量,比容量高。另外,所述制備方法工藝簡單,設備依賴度低,適合工業化生產。
聲明:
“高性能硅基薄膜的制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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