本發明公開的Li、Na共摻雜生長p型ZnO晶體薄膜的方法,采用的是脈沖 激光沉積法,首先將純氧化鋅、碳酸鋰和碳酸鈉粉末球磨混合后壓制成型,燒 結,制得摻Li2O和Na2O的ZnO靶材;然后在脈沖激光沉積裝置的生長室中, 以摻Li2O和Na2O的ZnO為靶材,以O2為生長氣氛,控制O2壓強5-30pa, 激光頻率為1-5Hz,生長溫度為300℃-600℃,在襯底生長p型ZnO晶體薄 膜。本發明方法可以實現實時摻雜;摻雜濃度可以通過調節生長溫度和靶材中 Li和Na的摩爾含量來控制。采用本發明方法制備的p型ZnO晶體薄膜具有良 好的電學性能,重復性和穩定性。
聲明:
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