本發明公開了一種以CuO納米線為模板制備C/Sn@C/C一維復合納米管的方法,以CuO納米線為模板生長一維C/SnO2@C/C/CuO復合納米線,再通過無機酸選擇性腐蝕去掉CuO納米線模板,隨后再在H2/Ar還原性氣氛中熱處理,最終得到一維C/Sn@C/C復合納米管。本發明運用CuO模板法制備出一維C/Sn@C/C復合納米管,制備工藝簡單,所制備的材料具有大比表面積,導電性好,在鋰二次電池電極負極材料領域有巨大的應用潛力。
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“以CuO納米線為模板制備C/Sn@C/C一維復合納米管的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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