本發明屬于納米復合材料領域,公開了一種g?C3N4/MoS2/ZnS納米復合材料及其制備方法。主要是以片層結構的g?C3N4為基體,鉬酸銨或鉬酸鈉為鉬源,七水硫酸鋅為鋅源,鹽酸羥胺為還原劑,硫脲或硫代乙酰胺為硫源,通過水熱法制備g?C3N4/MoS2/ZnS納米復合材料。本發明制備g?C3N4/MoS2/ZnS納米復合材料的方法簡單易操作,成本低廉,反應條件溫和,重現性好,粒徑均勻,并在摩擦學、催化、鋰電等領域中具有重要的應用,有望用于大規模的工業生產。
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“g-C3N4/MoS2/ZnS納米復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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