本發明公開了一種多孔硅基薄膜的制備方法,采用物理氣相沉積或者化學氣相沉積的方法將Si薄膜與選定的另一種薄膜制備成多層膜結構,被選定的另一種薄膜材料既作為Si擴散出來的輔助材料,又作為Si復合負極中的復合材料;然后在適當的溫度下進行熱處理,發生非對稱擴散,部分硅顆粒從TiO2中擴散出來,之后將擴散到表面的Si去除即得到具有空隙結構的Si基多層膜負極。本發明相比于其他一些Si基薄膜電極的優點:Si基薄膜電極結構穩定,能量密度高,壽命長;Si薄膜造孔方便,容易控制且環境友好;薄膜韌性好,可制備較厚薄膜電極;本方法制得的電極片不僅能緩解Si的體積膨脹、提高鋰離子擴散速率,還能保持優異的循環穩定性。
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