本發明屬于抗氧化技術領域,公開了一種太陽能硅片切割廢料產生及提純階段的抗氧化方法,包括以下步驟:S1:硅片的切割在低濕度環境或真空或低溫或無氧保護氣體或在酸性切割液或含抗氧化劑切割液中,或六者之間的任意組合中進行。S2:硅切割的廢料在運輸、儲存和提純中,要使硅材料處于真空或無氧保護氣體或酸性或低溫或抗氧化劑中,或五者之間的任意組合中;S3:提純后硅材料的干燥,采用烘箱干燥或真空干燥或無氧保護氣體的加熱干燥;S4:干燥后的硅材料,于密封包裝或真空包裝或包裝在充滿無氧保護氣體的袋中,這種抗氧化技術為鋰離子電池負極材料納米級硅的制備提供優質硅的原材料。
聲明:
“太陽能硅片切割廢料產生及提純階段的抗氧化方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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