本發明涉及可控制備硅化物納米結構的技術,具體為一種硅化物納米帶或納米片的制備方法。本發明通過向反應室內同時引入氯代硅烷與氫氣在金屬基體表面于500~1500℃下發生分解反應,從而在金屬基體表面原位生長出硅化物納米帶或納米片。本發明通過控制氯代硅烷與氫氣的流量比就可以容易地實現納米帶或納米片的選擇制備,所制備硅化物納米帶的典型尺寸如下:長度10~50ΜM,寬度0.5~5ΜM,厚度100~200NM。硅化物納米片的典型尺寸為:長度和寬度都在5~50ΜM,厚度10~100NM??傊?利用本發明提供的方法可以實現多種硅化物納米帶和納米片的控制制備,突破了目前硅化物只有納米線存在的狀態,可望應用于納米器件和鋰離子電池負極材料。
聲明:
“硅化物納米帶/納米片的可控制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)