本發明公開了一種高電阻率單晶氧化鋅及其制備方法和應用。該方法是將單晶ZnO晶片置于金屬鋰電化學裝置中恒流放電處理后,放于800~1000℃、10~30atm的高壓氧氣氣氛中退火處理20~28小時,得到所述高電阻率單晶氧化鋅。該方法采用電化學方法結合退火處理,只需要簡單的兩個步驟即可獲得超高電阻率的單晶ZnO晶片,得到的ZnO晶片電阻率高達1011?ohm?cm。而且,本發明的制備方法新穎、操作簡單,成本低,可重復性高,具有很好的推廣應用前景。
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