本發明關于一種單晶硅的成長方法及提拉裝置,該單晶硅的成長方法根據切克勞斯基法,將單晶從已在石英坩堝內熔融的硅原料的熔融液提拉而使其成長,其特征在于:以上述石英坩堝的外壁側為正極,并以電極側為負極的方式,施加直流電壓,一邊使電流從上述電極流過一邊根據上述提拉軸來使單晶硅成長;并且,該電極是與用以提拉上述單晶的提拉軸分開設置,且被浸漬于上述硅原料的熔融液中。由此,在單晶硅的成長過程中,通過使適當的結晶化層即失透發生在石英坩堝的內壁表面,同時防止鋰等的堿金屬混入單晶硅中,能提高單晶產率與生產性,并且在切片成芯片后的熱氧化處理中,能抑制氧化膜的異常成長。
聲明:
“單晶的成長方法及單晶的提拉裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)