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單晶的成長方法及單晶的提拉裝置

1068   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 23:35:23
本發明關于一種單晶硅的成長方法及提拉裝置,該單晶硅的成長方法根據切克勞斯基法,將單晶從已在石英坩堝內熔融的硅原料的熔融液提拉而使其成長,其特征在于:以上述石英坩堝的外壁側為正極,并以電極側為負極的方式,施加直流電壓,一邊使電流從上述電極流過一邊根據上述提拉軸來使單晶硅成長;并且,該電極是與用以提拉上述單晶的提拉軸分開設置,且被浸漬于上述硅原料的熔融液中。由此,在單晶硅的成長過程中,通過使適當的結晶化層即失透發生在石英坩堝的內壁表面,同時防止鋰等的堿金屬混入單晶硅中,能提高單晶產率與生產性,并且在切片成芯片后的熱氧化處理中,能抑制氧化膜的異常成長。
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