本發明提供一種垂直MXene陣列極片的制備方法,屬于電池技術領域。該制備方法,包括如下步驟:MXene納米片的制備和垂直MXene陣列極片的制備;將MXene納米片粉末進行分散,配成分散液,得到MXene分散液;裁取銅箔置于冷凍板上;將MXene分散液置于銅箔上并進行涂布,涂布厚度為50微米?500微米;待涂布完成后,進行凍干,凍干結束后得到垂直MXene陣列極片。本發明提供的制備方法利用冰模板法將MXene納米片設計成垂直三維結構,能夠有效的利用所有MXene,并且在和Li反應過程中會在垂直MXene表面形成均勻垂直的SEI層,有效減少金屬鋰和電解液的副反應,作為鋰金屬負極具有好的性能。
聲明:
“垂直MXene陣列極片的制備方法、垂直MXene陣列極片及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)