本申請公開一種基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復合薄膜及其制備方法,包括準備壓電晶圓和襯底基板,其中,所述壓電晶圓為鈮酸鋰晶圓或鉭酸鋰晶圓;利用離子注入?鍵合法或者鍵合?研磨拋光法,制備得到單晶壓電復合薄膜,其中,所述單晶壓電復合薄膜包括依次層疊的襯底基板和目標厚度的薄膜層;對所述單晶壓電復合薄膜中薄膜層進行等離子體刻蝕處理,其中,所述等離子體刻蝕處理所使用的等離子體包括還原性等離子體和/或惰性等離子體;對黑化后的薄膜層研磨拋光處理,得到黑化單晶壓電復合薄膜。通過等離子體刻蝕方法對薄膜層處理,使薄膜層內氧空位濃度提升,從而實現修復薄膜層的黑化或者抑制薄膜層的白化。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)