本發明提供一種rGO膜/GaN納米線復合電極及其制備方法,其中制備方法包括:以沉積有鎳鹽催化劑的還原氧化石墨烯膜為襯底,通過化學氣相沉積法生長GaN納米線,得到rGO膜/GaN納米線復合電極。依據上述制備方法,由于采用rGO膜導電襯底,進一步增強了電解液的浸潤性和電子/鋰離子的傳輸特性,使得rGO膜/GaN納米線復合電極的倍率特性大幅度提高;采用化學氣相沉積法生長GaN納米線,充分發揮GaN納米線較大的比表面積,暴露出豐富的活性位點,能夠實現電解液的充分接觸以及充放電反應中鋰離子和電子的快速轉移的優點。
聲明:
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