一種晶片具有含硅層、沉積在所述含硅層上的多晶金剛石層以及在所述含硅層的另一側上的用于減小晶片彎曲的彎曲補償層。一種制造接合結構的方法包括用于在一個襯底的表面上產生懸空鍵的活化過程,隨后在低溫下使所述表面與第二襯底進行接觸接合。接合結構可包括彼此接觸接合的兩個襯底,一個襯底包括含硅層、多晶金剛石層、用于減小所述第一襯底的晶片彎曲的彎曲補償層,并且另一個襯底包括氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰、砷化鎵、磷化銦或除金剛石以外的另一合適材料。
聲明:
“包括多晶金剛石膜的接合襯底” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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