本發明公開了一種改進的集成光學裝置(5a- 5g),該裝置設有第一和第二裝置(10a-10g;15a,15e),后者 彼此光耦合并以第一和第二不同的材料體系制成,第一或第二 裝置(10a-10g;15a,15e)之一在第一與第二裝置(10a-10g; 15a,15e)之間的耦合區處或其附近具有量子勢阱混雜(QWI)區 (20a,20g)。第一材料體系可以是基于砷化鎵(GaAs)或磷化銦 (InP)的III-V半導體,而第二材料體系可以是二氧化硅(SiO2)、硅(Si)、鈮酸鋰(LiNbO3)、聚合物,或玻璃。
聲明:
“改進的集成光學裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)