本發明涉及半導體基片技術領域,且公開了一種半導體功率芯片用金剛石單晶基片,包括以下步驟:1)將半導體材料加熱至4000攝氏度狀態,得到熔融半導體基片。該一種半導體功率芯片用金剛石單晶基片,通過在P型披覆層植入磷,N型披覆層植入鋇和鋰,并通過N型歐姆電極連接和P型歐姆電極與金剛石薄片連接,形成具有金剛石單晶PIN二極體的基片,植入磷的P型披覆層與植入鋇和鋰的N型披覆層形成性能相當的可調式電子元件,并且通電產生的反應催生金剛石單晶,由于金剛石單晶這種材料具備超寬能隙,超過碳化硅與氮化鎵,它的超寬能隙可防止在高溫下產生熱量,即使在非常高的溫度和輻射強度下,金剛石單晶仍然保持透明,實現了具有極佳的散熱性能,提高了使用壽命和傳輸效率。
聲明:
“半導體功率芯片用金剛石單晶基片” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)