本發明公開了一種制備多孔硅?銅復合材料的方法,具體為:將CuO、Mg2Si兩種粉體原料均勻混合,在600~700℃下進行熱處理,再經酸洗及后處理得到所述的多孔硅?銅復合材料。本發明的制備工藝簡單,具有很大的操作性,所采用的原料來源豐富,價格便宜,所使用的方法途徑容易在工廠中進行,特別是巧妙利用了鎂和氧化銅的置換反應,在制得多孔硅的同時,生成納米級的銅顆粒均勻彌散于多孔硅的表面,更加充分的發揮了銅對整個材料體系導電性的提高作用和銅顆粒對硅在脫嵌鋰離子時的體積變化的緩沖作用。是一種潛在的可大規模合成結構獨特的硅?銅復合材料的方法。
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