本發明公開的Li-F共摻雜生長p型ZnO晶體薄膜的方法,采用的是脈沖激光沉積法。靶材是由純氧化鋅、純氟化鋅和純碳酸鋰粉末球磨混合后壓制成型,燒結后得到摻ZnF2和Li2O的ZnO陶瓷靶,其中氟化鋅的摩爾含量為0.3%,氧化鋰的摩爾含量為0.6~0.9%;然后在脈沖激光沉積裝置的生長室中,以純O2為生長氣氛,控制O2壓強5~20Pa,激光頻率為3~5Hz,生長溫度為300~500℃,在襯底上生長p型ZnO晶體薄膜。本發明方法可以實現實時摻雜,摻雜濃度通過調節生長溫度和靶材中Li和F的摩爾含量來控制。采用本發明方法制備的p型ZnO晶體薄膜具有良好的電學性能,重復性和穩定性。
聲明:
“Li-F共摻雜生長p型ZnO晶體薄膜的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)