本發明公開了一種三LiMnxOy@C三維納米片陣列、制備方法及其應用。所述的三維納米片陣列表面富含氧空位,由碳層包覆的MnO,γ?MnO2及LiMn2O4構成的復合物組成,以Mn(CH3COO)2為原料,Na2SO4為電解質,水作為溶劑,泡沫鎳作為集流體,通過電化學沉積法制備前驅體,再將其轉移到LiOH水溶液中通過水熱反應嵌鋰,最后將嵌鋰后的前驅體浸泡在葡萄糖水溶液中,再經過Ar/H2退火得到表面富含氧空位缺陷的三維LiMnxOy@C納米片陣列材料。該材料具有三維陣列結構,利于電解質進入與活性材料反應,富含氧空位,電化學性能得到有效提高,同時包覆的碳層可以提高電極材料的導電性和機械穩定性;制備方法簡單環保,不需要復雜的后處理過程。
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