本發明提供了一種光耦合結構、系統及光耦合結構的制備方法,其中,所述方法包括:步驟S101:準備基底;步驟S102:在基底上形成鈮酸鋰光波導;步驟S103:在鈮酸鋰光波導的周壁上形成包裹鈮酸鋰光波導的二氧化硅芯層;步驟S104:在二氧化硅芯層的周壁上形成包裹二氧化硅芯層的二氧化硅包層。本發明緩解了現有技術中的鈮酸鋰光波導與單模光纖間的耦合效率低的技術問題,達到了提高鈮酸鋰光波導與單模光纖間的耦合效率的技術效果。
聲明:
“光耦合結構、系統及光耦合結構的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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