本發明公開了一種用于量子通信中波導的刻蝕工藝方法,高質量鈮酸鋰波導在量子通信中至關重要,波導質量決定了芯片的質量,進而影響在量子通信中的傳輸量與傳輸速度,選用鈮酸鋰晶圓為襯底,在其正Z面沉積鉻層、旋涂光刻膠,后經光刻、鉻腐蝕在鈮酸鋰晶圓上得到波導圖形,再經質子交換、刻蝕等工藝過程,得到高質量波導,光刻膠厚度控制在600?700nm;氫離子與鋰離子進行交換,質子源為配比4270:1的苯甲酸與苯甲酸鋰熔融態,質子交換爐溫度170℃、時間10?24h;濕法刻蝕過程中,1:2.5氫氟酸和硝酸刻蝕液,16?20℃的刻蝕溫度。本發明采用的刻蝕工藝方法,使得展寬精準控制、刻蝕速率穩定、波導表面光滑、傳輸損耗低。
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