本發明公開了一種低電阻率、高載流子濃度的p型氧化銅薄膜的制備方法,該方法選擇摻雜鋰的氧化銅作為脈沖激光沉積的靶材,通過選擇合適的鋰摻雜濃度,即可得到低電阻率、高載流子濃度的p型氧化銅薄膜,其中金屬鋰的摻雜量為2wt%時,得到的p型氧化銅薄膜的電阻率為7.56Ω·cm、載流子濃度為7.39×1019cm?3。本發明操作簡單,適用于低電阻率、高載流子濃度的p型氧化銅薄膜的工業化制備。
聲明:
“低電阻率、高載流子濃度的p型氧化銅薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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