本發明公開了光通訊和光學多路成像技術領域中一種可調二維光子微結構位相陣列器的制作方法。技術方案是,在摻鎂鈮酸鋰晶體基片上,利用成熟的半導體光刻技術工藝,并采用背向反轉短脈沖極化電場技術,制作六角二維光子微結構位相陣列。由于摻鎂鈮酸鋰晶體電光性能較佳,因此通過在帶有二維光子微結構基片的±Z面上外加電場的調控,可以實現在0~2Π之間位相的連續改變,而且可以使摻鎂鈮酸鋰晶體透光范圍(5ΜM~320NM)內的任意光波實現位相周期分布場,最終使近場衍射的光強均勻分布。本發明通過使用摻鎂鈮酸鋰晶體,直接加工制作微光學陣列元件,實現了晶體透光范圍內任意波長的陣列發光,同時也簡化了加工過程。
聲明:
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