本實用新型提供一種用于鋰電保護的開關器件,該開關器件包括:P+型襯底及P?型外延層;N型阱區;兩個P型阱區;兩個柵極結構;共用的N?型漂移區,形成于兩個柵極結構之間;N型源區及P+型接觸區;介質層,所述介質層中打開有第一接觸窗口及第二接觸窗口,所述第一區接觸窗口內形成直至所述P+型襯底的溝槽;以及填充于所述溝槽及第二接觸窗口內的電極材料。本實用新型采用共用漂移區的方式構建MOSFET器件,使得漂移區區域電阻可以大大降低,同時保證耐壓不變。僅需通過一個溝槽電極便可將一個源區引到芯片(chip)背面,封裝時可與基底焊接,降低接觸電阻,在極低的內阻要求下非常有效,且可大大節省了工藝成本以及減小器件體積。
聲明:
“用于鋰電保護的開關器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)