一種在鋁酸鋰晶片上低溫制備氮化鋁薄膜的方法,將拋光的(100)γ-LiAlO2晶片置于流動或密封氨氣氣氛環境中,在室溫至800℃的溫度范圍內,保溫0.1至120小時,對(100)γ-LiAlO2晶片表面進行氮化處理,在(100)γ-LiAlO2晶片表面獲得一層高度c軸取向的(0001)氮化鋁薄膜。這種表面覆蓋有(0001)氮化鋁薄膜的(100)γ-LiAlO2晶片的表面粗糙度明顯降低,穩定性得到明顯提高。用本發明方法制備的氮化(100)γ-LiAlO2晶片可作為襯底用于外延制備GaN、氮化鋁、InGaN、ZnO等寬禁帶半導體薄膜、厚膜以及功能器件。
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