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氮化硅?鈮酸鋰異質集成波導器件結構及制備方法

1160   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 21:27:39
本發明涉及一種氮化硅?鈮酸鋰異質集成波導器件結構及制備方法,二氧化硅包覆層中的氮化硅波導和位于其上表面的鈮酸鋰薄膜異質集成脊形波導,并在鈮酸鋰薄膜上表面放置行波電極。氮化硅波導與其上表面的鈮酸鋰薄膜交叉耦合,在行波電極上外加高速電信號,對通過鈮酸鋰薄膜的光波的相位進行控制,實現加載電信號的振幅調制到光信號的相位調制的轉換。三維垂直集成設計,使芯片集成更緊湊,節省空間,同時降低光波導的插入損耗,可望實現100G的光調制速率,實現光波在鈮酸鋰薄膜中被高速調制并經氮化硅波導低損耗傳播的特性,完成性能優異的光調制。其制作工藝與半導體加工工藝兼容,調制效率高,能耗低,在光信號處理等領域中具有重要的應用前景。
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“氮化硅?鈮酸鋰異質集成波導器件結構及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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